Spiegazione tecnica
In una cella PERC, uno strato dielettrico (solitamente Al2O3 + SiNx) è depositato sul retro della cella di tipo P. Questo strato riflette i fotoni non assorbiti nella cella (assorbimento di seconda possibilità) e passivizza i difetti della superficie posteriore. Il miglioramento dell'efficienza rispetto alla cella BSF standard è compreso tra +0.5 e +1.0 punti assoluti. Il PERC soffre di un difetto intrinseco: il degrado LID (Light Induced Degradation), che è più marcato nel tipo P, e il degrado LeTID in determinate condizioni termiche. Il TOPCon N-Type risolve entrambi questi problemi.
