Technische Erklaerung
In einer TOPCon-Zelle wird eine Tunneloxidschicht (ca. 1–2 nm dick) zwischen dem N-Typ-Siliziumsubstrat und einer dotierten polykristallinen Siliziumschicht abgeschieden. Diese Schicht „passiviert“ die Rückkontakte: Elektronen können durch Quantentunneln die Oxidschicht passieren, Rekombinationsverluste werden jedoch drastisch reduziert. Ergebnis: eine Zelle, die die absorbierten Photonen besser nutzt. Der TOPCon ist eine Weiterentwicklung der bestehenden PERC (Passivated Emitter Rear Cell) – kompatibel mit denselben Produktionslinien und hält die Herstellungskosten trotz der überlegenen Leistung niedrig.
